日付：2026-07-28
業種：炭化ケイ素（Silicon Carbide）——基板・エピタキシャル・パワーデバイス
見解：慎重強気 | 信頼度：中（0.60） | 時間軸：12-24ヶ月
コア結論：炭化ケイ素業界は2024～2025年の「深刻な供給過剰＋価格暴落」から脱却し、2026年上半期には6インチ基板価格が底値から倍以上に回復、需給バランスは大幅にタイト化した。EV向け800Vプラットフォームの浸透加速とAIデータセンター電源需要の台頭が二重の成長ドライバーとなっているが、価格回復の持続性はEV成長鈍化、製品グレード区分の二極化、およびデバイス自体の価格下落の影響を受ける。業界の利益プールは構造的に移行しつつある——基板からデバイスIDMへ集中しているが、デバイスのASPも急速に低下している。全体として業況は上向きだが、「全面回復」というシナリオには慎重な対応が必要である。
炭化ケイ素（SiC）は第3世代ワイドバンドギャップ半導体材料（バンドギャップ3.26eV、絶縁破壊電界強度はシリコンの10倍）であり、そのパワーデバイスは高温、高圧、高周波の用途において代替不可能な優位性を持つ。
業界チェーンの一言マップ：高純度SiC粉末 → PVT結晶成長（基板）→ エピタキシャル成長（エピタキシャルウェハ）→ チップ設計/製造（SiC MOSFET/SBD）→ パッケージモジュール → 最終用途（電気自動車/太陽光発電・蓄電/AI電源/産業/鉄道車両）。
本レポートのカバレッジ範囲：導電型（N型）SiC全チェーン。パワーデバイスをコア最終市場とする。半絶縁型SiC（高周波デバイス/GaN-on-SiC向け）は本レポートの主対象外。
セグメント別価値分布：
| セグメント | デバイス総コスト比 | 参入障壁の中核 | 現状 |
|---|---|---|---|
| 基板 | ~47% | PVT結晶成長ノウハウ（>2200℃）、欠陥制御 | 価格は底値から反発、品質二極化が進行 |
| エピタキシャル | ~15% | 厚さ/ドーピング均一性、欠陥制御 | 基板トレンドに追随、200mmが増加基調 |
| デバイス設計と製造 | ~30% | 車載規格認証（AEC-Q101）、顧客ロックイン、歩留まり | 利益の高い領域、IDMが支配的 |
| パッケージモジュール | ~8% | 放熱設計、信頼性 | デバイス側に連動 |
出典：Yole Group（Power SiC 2025/2026）；TrendForce
世界のSiCパワーデバイス市場は2024年に約 39億米ドル、2029年には 100億米ドル（SBD+MOSFETのベアチップ/ディスクリート/モジュール含む）に達すると予測され、CAGRは ~20.7%（Yole Group、Power SiC 2026）。
| 年 | 2024A | 2025A | 2026E | 2027E | 2029E |
|---|---|---|---|---|---|
| デバイス市場規模（億米ドル） | ~39 | ~47 | ~55 | ~65 | ~100 |
出典：Yole Group / Electronics Weekly（2026年6月）、https://www.electronicsweekly.com/news/business/power-sic-market-growing-at-20-cagr-2025-31-to-11bn-2026-06/
成長率評価：Yoleは2026年6月のPCIM展示会において、SiCの短期的な成長率は従来の40%から約12%に急減したものの（2025～2026年の過渡期）、EV向け800Vの浸透加速とAIデータセンター需要の牽引により、中期的な成長率は~20%に回復すると確認した。SiCがパワー半導体の30%を占めるという目標は、2028年から2030年に先送りされた。
出典：PCIM Magazine 2026、https://pcim.mesago.com/nuernberg/en/pcim-insights/pcim-magazine/power-sic-growth-picks-up-pace-driven-by-auto-industrial-and-ai.html
| 最終用途 | 2024 シェア | 2024 規模 | 2029E 規模 | CAGR | 成長ロジック |
|---|---|---|---|---|---|
| 電気自動車（駆動用インバーター+OBC+DC-DC） | ~62% | ~24億米ドル | ~57億米ドル | ~19% | EV生産台数増加 × SiC搭載率向上 × 800V 車両1台当たり価値向上 |
| 太陽光発電+蓄電インバーター | ~14% | ~5億米ドル | ~15億米ドル | ~25% | 太陽光発電設備容量増加 + SiC搭載率20%→40% |
| 充電インフラ | ~7% | ~3億米ドル | ~8億米ドル | ~22% | 350kW+ 超急速充電器へのSiCモジュール広範採用 |
| 産業用電源/モーター駆動/鉄道/電力網 | ~14% | ~5億米ドル | ~10億米ドル | ~15% | 産業効率向上 + 鉄道SiC駆動システム |
| AIデータセンター電源（PSU/UPS） | ~3% | ~1億米ドル | ~7億米ドル | ~48% | AIサーバー電力密度3kW→10-30kW+、PSUの800V HVDCへの移行 |
出典：Yole Group Power SiC 2026；IEA Global EV Outlook 2026、https://www.iea.org/reports/global-ev-outlook-2026/executive-summary；TrendForce
AIデータセンターに関する現実的な検証：JPモルガンが2026年5月に実施した独自試算によると、AIデータセンターによるSiCデバイスのTAM貢献は2028年に約4～5億米ドル（当時のTAMの約10%）であり、「構造的な加点」ではあるが「規模を変えるもの」ではない。市場の一部楽観派はAIがSiC TAMの20～30%を占めると主張するが、これは明らかに過大である。本レポートのAI予測はこの保守的な評価を反映している——2029年時点で~7億米ドル、約7%のシェアである。
出典：JPモルガン SiC業界詳細レポート（2026年5月）、https://finance.sina.com.cn/stock/hkstock/marketalerts/2026-05-28/doc-inhzmayw8744907.shtml
EV駆動用インバーター——中核的な成長ドライバー（需要ウェイト~62%）：
SiC 车用器件市场 = 全球 BEV/PHEV 产量
× (400V 占比 × 单车 SiC 价值_400V + 800V 占比 × 单车 SiC 价值_800V)
× SiC 在对应电压平台的渗透率
2024 年基准：
= 1,700万辆 × (85% × $175 + 15% × $400) × 25%
= 1,700万 × $209 × 0.25 ≈ $8.9B（含 OBC 等，器件口径偏大）
2029 年基准情景：
= 4,000万辆 × (50% × $200 + 50% × $400) × 45%
= 4,000万 × $300 × 0.45 ≈ $54B（含 OBC，器件口径）
| 主要パラメータ | 2024A | 2026E | 2029E |
|---|---|---|---|
| 世界BEV/PHEV生産台数（百万台） | ~17 | ~22 | ~40 |
| BEVにおける800V比率 | 15% | ~20% | ~50% |
| 駆動用インバーターにおけるSiC搭載率 | ~25% | ~35% | ~55% |
| 400V 車両1台当たりSiC価値（米ドル） | ~$175 | ~$185 | ~$200 |
| 800V 車両1台当たりSiC価値（米ドル） | ~$400 | ~$380 | ~$400 |
出典：IEA Global EV Outlook 2026；TrendForce（SiC inverter penetration）；Yole Group
AIデータセンター電源——追加的な成長ドライバー（需要ウェイト~3%→7%）：
定量連鎖（定性から定量へ——AI向け搭載率の正確な数値は未開示）：
SiC AI PSU 市场 = AI 服务器机架出货量 × 单机架功率密度 × SiC 在 PSU 中渗透率 × 单位功率 SiC 价值
关键假设：
- 单机架功率：3kW(2024)→10-30kW(2029)
- SiC 渗透率：<1%(2024)→~15%(2029，Yole 估计)
- 摩根大通测算：1MW HVDC 数据中心 SiC 含量约 $5,000-6,000
- 2028 年 AI DC 新增装机约 80GW × HVDC 渗透率 → $4-5 亿 TAM 贡献
出典：JPモルガン SiC業界レポート（2026年5月）；Yole Group Power SiC 2026
| ドライバー項目 | 変動（億米ドル） | 根拠 |
|---|---|---|
| EV駆動用インバーターのSiC使用量増加 | +33 | 生産台数17M台→40M台 × SiC搭載率25%→55% × 800V比率15%→50% |
| EV用OBC/DC-DC | +7 | 800V浸透により車両1台当たりOBCのSiC使用量増加 |
| 太陽光発電+蓄電インバーター | +10 | 新規設備容量CAGR ~10% × SiC搭載率20%→40% |
| 充電インフラ | +5 | 350kW+ 超急速充電器が2.8万台→10万台以上に増加 |
| AIデータセンター電源 | +6 | ほぼゼロから年間約7億米ドルへ（JPモルガンの保守的修正含む） |
| 産業/鉄道/その他 | +5 | 産業効率向上 + 鉄道SiC駆動システム |
| ASP低下による相殺 | -3 | デバイスASPは年間8-12%低下するが、車両1台当たり使用量の増加で一部相殺 |
| 純変動 | +61 | 2024年 ~$39億米ドル → 2029E ~$100億米ドル |
出典：Yole Group、IEA、TrendForce、JPモルガンを基に総合
構造的要因 vs 周期的要因：構造的成長の割合は約85%（EVの長期的な電動化浸透 + 800Vへの不可逆的な移行 + 太陽光発電・蓄電 + AIインフラ）、周期的変動は約15%（EV在庫調整、補助金政策の変動）。2026年第1四半期の世界EV販売台数が前年同期比-8%（IEA）となったのは短期的な擾乱であり、通期の成長率は15-20%を維持できると予想される。
| 年 | 2024A | 2025A | 2026E | 2027E | 2028E | 2029E |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 需要（万枚/年） | 210 | 260 | 350 | 440 | 530 | 610 |
| 前年比成長率 | — | +24% | +35% | +26% | +20% | +15% |
出典：TrendForce、Yole（デバイス市場→ウェハ換算）；McKinseyウェハ需要フレームワークでのクロスチェック
2025年の世界の6インチ換算導電型SiC基板の名目生産能力は年間約400万枚、実際の有効生産能力（出荷ベース）は年間約280万枚（稼働率~70%）。2026年の名目生産能力は569万枚に増加すると推定されるが、Wolfspeedの破綻による減産、欧州における高コスト生産能力の撤退（onsemiチェコ工場で200～300人削減）、中国の非効率生産能力の退出という3つの要因により、有効供給の増加幅は限定的である。
出典：TrendForce；Fuji Keizai；栄格工業、https://www.industrysourcing.cn/article/470999
| 指標 | 2024A | 2025A | 2026E |
|---|---|---|---|
| 世界名目生産能力（万枚/年、6インチ換算） | ~300 | ~400 | ~569 |
| 世界有効生産能力（万枚/年） | ~230 | ~280 | ~360 |
| 世界総合稼働率 | ~77% | ~70% | ~63%（Wolfspeedの影響） |
| 中国主要企業稼働率 | ~70% | ~85% | >90%（天嶽先進/天科合達はフル生産） |
| 中国出荷の世界シェア | 38% | 53% | ~55%（E） |
Wolfspeedの破産再編（2025年6月にChapter 11申請、2025年9月に再編完了）：債務削減額は約70%（~46億米ドル）、Durhamの150mmデバイス工場を閉鎖、ドイツ・ザールラントプロジェクトを無期限停止。再編後のFY2026年第3四半期の材料収入はわずか$50M（前年同期比-36%）、生産能力稼働率は20-25%。世界の有効供給は年間約30万枚減少。
onsemiの欧州事業縮小（2026年6月）：チェコ工場のSiC関連従業員200～300人を削減。欧州でのSiC製造コストは$1,200/枚に対し中国は$400/枚。中国製基板の外部調達にシフト。
BIS輸出規制強化：2026年4月、SiC/GaNイオン注入装置、高温アニールシステムを規制対象に追加。2026年7月、SiC/GaNテストシステムを追加。ただし、PVT結晶成長炉の国産化率は既に90%超であり、基板セグメントへの直接的な影響は限定的。
出典：Wolfspeed Q3 FY2026決算発表；米国商務省産業安全保障局（BIS）連邦公報 2026年4-7月；芯智訊（ChinaAET）、https://www.chinaaet.com/article/3000178055
2025年の世界導電型SiC基板出荷量CR5は約67%、中国の上位2社で合計約35%となり、Wolfspeed+Coherentの約24%を既に上回っている。
| 順位 | 企業 | 2025年出荷量シェア | 2024年売上高シェア | トレンド |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 天嶽先進 | 27.6% | 17.1% | 出荷量で世界首位に |
| 2 | Wolfspeed | 18% | 33.7% | シェア半減、破産再編 |
| 3 | ROHM/SiCrystal | 11% | ~8% | 日本サプライチェーンが着実に拡大 |
| 4 | SK Siltron | 7.5% | — | 韓国勢力の台頭 |
| 5 | 天科合達 | 7.2% | 17.3% | 売上高シェアは大幅に低下 |
出典：Fuji Keizai（2025年出荷量）；TrendForce（2024年売上高）、https://www.trendforce.cn/presscenter/news/20250512-12573.html
200mm（8インチ）ウェハの面積は150mm（6インチ）の 1.78倍 であり、エッジ利用率の向上を考慮すると、利用可能なチップ数は約 1.87倍 に増加する。理論上のチップ単価は35～50%低減可能だが、量産歩留まりと設備コストが深刻な制約となる。
| 指標 | 6インチ（150mm） | 8インチ（200mm） |
|---|---|---|
| 量産成熟度 | 成熟（主要企業の歩留まり>60%） | 立ち上げ期（世界平均<40%） |
| 基板単価（2026年第2四半期） | ~$500-700/枚（産業用~3,500-5,000元） | ~$900-1,100/枚 |
| 1枚あたり利用可能チップ数（5mm×5mm） | ~448個 | ~837個 |
| チップ1個あたりの基板コスト（理論値） | ~$1.34 | ~$1.08-1.31 |
出典：天嶽先進投資家向け説明資料；Wolfspeed SEC提出書類
Yoleは2026年6月のPCIM展示会で「8インチへの移行は遅れており、予想よりもゆっくりとしたペースになる」と明確に指摘。WolfspeedのMohawk Valley 8インチ工場は2022年の稼働開始以来、一度もフル生産に達しておらず（稼働率は継続的に<25%）、設備未活用費用が急増し続け、破綻の重要な要因となった——8インチによるコスト削減ロジックは量産において未だ実証されていない。
8インチ量産における主要な進展：
出典：Infineon Press、https://www.infineon.com/press-release/2025/infxx202502-055；ST News；PCIM Magazine 2026
| 分位 | 代表企業 | C1 キャッシュコスト（$/枚、6インチ換算） | 特徴 |
|---|---|---|---|
| 第1四分位 | 天嶽先進、天科合達 | $280-350 | 中国主要企業、歩留まり>55%、低電力コストの優位性 |
| 第2四分位 | 晶盛機電、三安光電 | $350-450 | 規模拡大途上 |
| 第3四分位 | Wolfspeed（再編後）、ROHM | $500-700 | 海外コスト高だが、Wolfspeedは再編後、低下の可能性 |
| 第4四分位 | Coherent、オンセミチェコ工場、欧州中小企業 | $700-1,200 | 撤退圧力に直面 |
インセンティブ価格：6インチ ~$650/枚（新規参入者の損益分岐点）；8インチ ~$850/枚。
出典：オンセミ経営陣による開示情報；栄格工業；思萊克工業科技、https://www.slaker.cn/silicon-carbide-news/345.html
現在の市場価格（2026年7月）：
出典：上海有色網（SMM）、https://hq.smm.cn/semiconductor/content/103993830；注意点：製品グレード——産業用と車載規格では価格差が2.5～3倍あり、混同不可
重要な警告：市場の一部レポートでは、製品グレードを混同した報告が見られる——産業用の安値 $200-320（2025年末）と、車載規格またはミックス平均の高値 $700（2026年半ば）を直接比較し、反発幅を誇張している。同一基準（産業用）では、価格は~$250から~$490-600へと回復しており、上昇幅は依然として顕著（~100-140%）だが、一部レポートが報じる$700という絶対価格帯には達していない。
| 年 | 需要（万枚） | 実効供給（万枚） | 過剰/不足（万枚） | 需給比率 |
|---|---|---|---|---|
| 2024A | 210 | 230 | +20 | 1.10 |
| 2025A | 260 | 280 | +20 | 1.08 |
| 2026E | 350 | 360 | +10 | 1.03 |
| 2027E | 440 | 470 | +30 | 1.07 |
| 2028E | 530 | 570 | +40 | 1.08 |
| 2029E | 610 | 650 | +40 | 1.07 |
口径説明：本表は 6 インチ換算導電型基板の総量バランス。需給比率は 2024 年の 1.10 から 2026 年の 1.03 に縮小し、過剰が顕著に緩和されたことを反映。ただし、総量の数字は内部の構造的な格差を隠している——車載グレードの高品質基板は実際には逼迫（納期 50 週超）、産業用低グレード基板は依然として相対的に緩和。
出所：需要は Yole Group のデバイス市場＋ウエハ換算に基づく；供給は TrendForce＋富士経済＋各社公表に基づく。全行は粗略に検証：供給−需要＝不足。
| 指標 | 現状（2026Q2） | トレンド |
|---|---|---|
| 世界総合稼働率 | ~63%（Wolfspeed 20-25% が大きく悪化） | 格差拡大 |
| 中国上位稼働率 | >90%（天岳先進/天科合達がフル生産） | 車載/高品質ラインがフル生産 |
| サプライチェーン全体の在庫 | ~1-2 ヶ月（正常 3 ヶ月） | 低め、ハイエンドはほぼゼロ在庫 |
| 在庫サイクルの位置 | 在庫調整終盤→構造的な補充 | 車載グレードは補充、産業用は依然として消化中 |
出所：長江有色網の現地調査；東方財富の業界調査、https://caifuhao.eastmoney.com/news/20260607131747784511370。なお、モルガン・スタンレーの半導体在庫トラッキング（2026 年 7 月）によると、半導体サプライチェーン全体の在庫は依然として過去中央値 33 日を上回っており、SiC の「低在庫」は構造的（車載逼迫、産業用緩和）であり、全面的な逼迫ではない点に留意。
価格サイクルの振り返り：
出所：思莱克工業科技；上海有色網 SMM；各社公表
価格形成メカニズム：基板の価格設定は「年度長期契約での価格固定」から「スポット＋競争入札」へと変化しており、車載材料は長期契約中心を維持（比率約 30-40%、海外 IDM はさらに高い）。車載グレードと産業用グレードの価格差は 2.5-3 倍に達し、この格差は拡大している——構造的な逼迫は車載ハイエンド製品に集中。
| 期間 | 6 インチ産業用 | 8 インチ | 核心ロジック |
|---|---|---|---|
| 2026Q3 | $500-700/枚 | $950-1,100/枚 | 補充のピーク＋AI 電源の引き合い＋車載グレードの構造的逼迫 |
| 2026Q4 | $470-630/枚 | $900-1,050/枚 | 季節的オフシーズンだが、在庫低位が下落を抑制 |
| 2027Q1 | $420-580/枚 | $880-1,020/枚 | 春節による生産停止＋海外調達の鈍化、5-15% の調整 |
| 2027Q2 | $440-600/枚 | $900-1,050/枚 | EV 新モデルの在庫積み上げ＋AI PSU 調達の繁忙期開始 |
価格設定フレームワーク：インセンティブ価格の下限（6 インチ ~$650/枚＝中国新規参入者の損益分岐点）＋需給の方向性（2026H2 逼迫→2027H1 やや緩和）＋在庫の位置（低め、近時の下支え）。注意：$700+ の価格は主に車載ハイエンド製品に集中、産業用の基準は $500-600 の範囲；産業用口径で見れば、価格はすでに $500 付近に戻っており、インセンティブ価格により近い。
（本節はテクノロジーハードウェアプレイブックのトップセクション——焦点は価格決定権/利益の帰属/参入障壁/国産代替）
| 工程 | CR4/CR3 | トップ企業 | トレンド |
|---|---|---|---|
| 基板（出荷量） | CR5 ~67% | 天岳先進 27.6% + Wolfspeed 18% | 中国企業が逆転、Wolfspeed は半減 |
| デバイス（売上高） | CR3 ~60% | ST ~35% + onsemi ~20% + インフィニオン ~15% | 3強安定、中国デバイスメーカー ~10% が急追 |
| エピタキシャル（販売数量） | CR3 ~55% | 瀚天天成 >30%（世界首位） | 一強だが、受託事業は縮小 |
出所：富士経済（2025）；TrendForce；Yole
各工程における現在の利益配分（2025 年推定）：
| 工程 | 利益プール比率 | 粗利率範囲 | 3年前の粗利率 | トレンド |
|---|---|---|---|---|
| 基板 | ~15% | -25%~19% | 40-60% | 崩壊——天科合達 -20%、天岳先進 17% |
| エピタキシャル | ~12% | 18-35% | 35-45% | 縮小——瀚天天成は 44.7% から 25.6% に低下 |
| デバイス/IDM | ~60% | 34-46% | 35-45% | 横ばいかやや低下——ST 34.8%、インフィニオン ~41% |
| モジュール/パッケージング | ~13% | 14-18% | 15-20% | 安定 |
出所：各社決算。ST Q2 2026、https://newsroom.st.com/wp-content/uploads/2026/07/C3403C-Q226-Earnings-PR.pdf；インフィニオン Q2 FY2026、https://www.infineon.cn/press-release/2026/infxx202605-082；onsemi Q1 2026、https://www.onsemi.com/company/newsroom/news-and-insights/onsemi-reports-first-quarter-2026-results
利益プールの移動方向：「基板が王様」から「デバイスが王様」へ。3 年以内に基板の粗利率は 40-60% から損益分岐点または赤字に崩壊、利益は車載認証＋顧客ロックイン＋規模製造を備えたデバイス IDM に加速的に集中。
ただし、はさみ状のリスクに注意：JPモルガンの試算によると、車載 SiC MOSFET の価格は 2024 年 $6.0-6.5→2025 年 $5.0-5.5→2026 年 $3.0-3.5→2027 年には $2.5 になる可能性（2 年で半減）。もし基板価格がすでに底入れ・反発している一方でデバイス価格が急落し続ければ、利益プールはデバイスから基板へ逆流する可能性がある——現時点では発生していないが、2027 年が重要な観測ウィンドウ。
川上・川下の交渉力：
| 力 | 強弱 | 根拠 |
|---|---|---|
| 基板→デバイスメーカー | 弱 | 導電型基板の標準化度が高く、複数ソース、IDM は継続的に値下げを要求 |
| デバイス→自動車メーカー | 中〜弱 | 設計導入後の切り替えコストは極めて高いが、上位 5 顧客の集中度は 60-80% |
| 車載エピタキシャル→デバイスメーカー | 中 | カスタマイズ性が高く、認証障壁が高く、切り替え期間は 12-18 ヶ月 |
| デバイス→AI データセンター顧客 | 中〜強 | 800V HVDC は新興市場、サプライヤーが限られ、当面は価格決定権が強い |
このビジネス全体で儲けやすいか？——中（改善中、サイクル底）
バリュートラップのリスク：中。純粋な基板メーカー（天岳先進/天科合達）は典型的なバリュートラップ——出荷量は増えるが利益は増えず、むしろ赤字。三安光電の SiC はまだ投資段階（2025 年湖南三安 SiC 売上高はわずか 9.1 億元）、LED 本業が全体の収益性を押し下げ。
| 企業 | コード | バリューチェーンの位置 | シェア | 中核的強み | 一言解説 |
|---|---|---|---|---|---|
| STMicroelectronics | STM | デバイス IDM | SiC デバイス ~35%（世界首位） | 車載認証で最も早期かつ網羅的、テスラと深く連携、Catania 8 インチ €50 億プロジェクト | デバイス側の絶対王者、利益プール移動の最大受益者、総合粗利率 34.8% に回復 |
| インフィニオン | IFNNY | デバイス IDM | SiC デバイス ~20-25% | CoolSiC トレンチゲート技術で先行、AI 電源の受注急増、通期ガイダンス上方修正 | SiC+GaN フルスタック展開、粗利率 ~41% で業界最高、AI 電源構造で最も恩恵 |
| onsemi | ON | IDM＋基板自給 | SiC デバイス ~15-20% | 自社基板生産能力（自給 >50%）、EliteSiC は吉利/蔚來（NIO）から受注 | サイクル底を脱したが、粗利率は 45%+ から 38.5% に低下、稼働率回復待ち |
| 天岳先進 | 688234 | 基板 | 出荷 27.6%（世界首位） | 8 インチシェア 51.3%、12 インチは液相法を世界初、インフィニオン/ボッシュに量産供給中 | 出荷量世界首位だが、量で価格を補い赤字。海外高粗利率（36%）が収益の鍵 |
| BYD半導体 | 未上場 | 中国フルチェーン IDM | 中国 SiC モジュール ~15-20% | 国内唯一の車載フルチェーン IDM、自給＋外販、コストは輸入比 30-50% 低い | SiC 搭載加速の恩恵を最も確実に受ける中国標的 |
| 芯聯集成 | 688469 | デバイス受託 | 中国 SiC 受託 ~10-15% | 国内最大の独立 SiC 受託工場、8 インチ MOSFET 量産中 | 受託トップだが売上高は高成長も粗利率はわずか 5.5%、2026 年の収益転換点は未確認 |
| 天科合達 | 未上場 | 基板＋エピタキシャル | 基板出荷 ~7%（世界トップ 3） | 国内最早期に産業化、CATL/華為哈勃が出資 | 粗利率がマイナスに転じ（-20%）、過去 2 年で累積赤字約 16 億元、IPO で 27.8 億元調達も「作れば作るほど赤字」 |
| 三安光電 | 600703 | フルチェーン IDM プラットフォーム | SiC 国内 ~5-10% | 全産業チェーン垂直統合、ST と 8 インチ合弁 | SiC は投資段階、LED 本業が全体の赤字を悪化 |
| 瀚天天成 | 02726.HK | エピタキシャル | 世界エピタキシャル >30% | 世界最大の独立エピタキシャルメーカー、12 インチエピタキシャルを世界初、香港新規上場 | エピタキシャル絶対トップだが粗利率は継続低下（44.7%→25.6%）、補助金で収益 |
| Wolfspeed | WOLF | フルチェーン IDM（再編後） | 基板 18%（34% から半減） | SiC 技術の先駆者、8 インチ fab で先行 | かつての王者は深い苦境、再編後も赤字（粗利率 -27%）、短期での反転は難しい |
| 地域 | 政策の方向性 | 主要措置 | 影響 |
|---|---|---|---|
| 中国 | 強い追い風 | 大基金三期 3,440 億元＋十五五专项 年間 50 億元＋地方政府補助金 | 基板/デバイスの国産代替を加速 |
| 米国 | 追い風だが断片的 | CHIPS Act Wolfspeed $7.5 億補助金（未確定）＋$7 億税額還付（受領済み）；BIS 対中国 SiC 設備規制 | 米国国内生産能力を優遇、中国を全面的に封鎖 |
| EU | 強い追い風 | ST カターニア €20 億支援（総投資 €50 億） | 欧州 8 インチフルチェーン自立 |
| 日本 | 強い追い風 | NEDO 305 億円＋METI 1,294 億円（合計 ~$11 億） | ROHM 8 インチが目標を 2 年前倒し達成 |
| 韓国 | 追い風 | 5,000 億ウォン国費（~$3.4 億）、自給率目標 10%→20% | 国産化加速 |
| 措置 | 範囲 | 税率/制限 | 発効日 |
|---|---|---|---|
| 301 現行関税 | SiC ドープ済みウエハ（HTS 3818.00.00.30） | 50% 追加関税 | 2025 年 1 月 |
| 301 新調査 | 中国産半導体（SiC 基板/デバイス含む） | 現行 0%、2027 年 6 月に見直し税率に引き上げ | 2027 年 6 月（税率は遅くとも 2027 年 5 月に公表） |
| BIS 設備規制 | SiC/GaN イオン注入装置、アニールシステム、エピタキシャル装置 | 中国向け輸出には許可証が必要（却下推定） | 2026 年 4-7 月 |
| BIS デバイス規制 | 1200V+ SiC MOSFET | 中国向け輸出には許可証が必要 | 2026 年 7 月 |
出所：USTR Federal Register、https://ustr.gov/sites/default/files/files/Issue_Areas/Enforcement/Section%20301/Semiconductor%20Section%20301%20FRN%20Final%20Action%2012-22-25%20for%20posting.pdf
中国の基板出荷は世界の 53% を占め、海外 IDM はこれに大きく依存（中国基板の価格は海外の 30-50% に過ぎない）が、米欧日は補助金＋関税を通じて「中国離れ」を加速している。短期的には中国基板の低価格優位性は代替困難だが、2027 年 6 月に 301 新関税が大幅に引き上げられた場合（市場予想 25-100%）、中国基板の対米輸出に深刻な打撃を与える。
出所：ecoinvent データベース；欧州委員会 CBAM（SiC は初回対象業種に含まれず）
| 強気派 | 弱気派 | 追跡指標 |
|---|---|---|
| Yole は 2024-2030 CAGR ~20% を維持、EV 800V＋AI の二重駆動は不可逆 | EV 2026Q1 世界販売 -8%；JPモルガン試算では AI はわずか 4-5 億ドル（~10% TAM、2028 年） | 世界 BEV 四半期販売台数（IEA）、TrendForce SiC インバーター浸透率、Yole 年次成長率更新 |
現時点のバランス：強気派がやや優勢——AI は「構造的な加点」に過ぎず「規模の破壊」ではないが、EV 800V プラットフォームの浸透は加速中（2025 年 800V 比率 ~15%→2026E ~20%）；2026Q1 EV 販売 -8% は補助金縮小による一時的な変動、通年成長率は 15-20% を維持可能。
| 強気派 | 弱気派 | 追跡指標 |
|---|---|---|
| 在庫約1～2カ月（通常3カ月）、車載グレードはほぼゼロ在庫、納期50週超 | JPモルガンは2026年初頭の6インチはわずか約$208と予想；DigiTimesは$200-300と報道；現在の価格には買いだめ・投機の水増し分が含まれる | 6インチ産業用基板スポット価格、天岳先進/天科合達の四半期ASP、チャネル在庫日数 |
現在のバランス：強気派がやや優勢——価格は確かに底値から大幅に反発したが、製品グレードの格差が深刻（車載は逼迫/産業用は緩い）。産業用$500-600は既にインセンティブ価格$650に近く、上昇余地は限定的。在庫補充需要が落ち着けば、産業用価格が$400-500に戻るリスクがある。
| 強気派 | 弱気派 | 追跡指標 |
|---|---|---|
| 8インチは面積1.78倍、チップ数+87%、理論上のチップ単価35-50%低減 | Wolfspeed Mohawk Valleyはフル生産に至らず、直接の破綻原因に；世界の8インチ歩留まり<40%；Yoleは移行遅延を明言 | 8インチ基板公開価格、天岳先進/Wolfspeedの8インチ出荷量および歩留まり開示 |
現在のバランス：弱気派が優勢——8インチのコスト低減ロジックは量産において未だ実証されておらず、移行期間は予想より長期化。ただし、天岳先進の8インチシェア51.3%＋歩留まり60-70%は慎重な楽観論の根拠となる。
| シナリオ | 確率 | ストーリー | 業界への影響 |
|---|---|---|---|
| 弱気 | 0.25 | 世界のEV成長率が低調持続（2026年<10%）＋AIデータセンター需要がJPモルガンの基準を下回る＋中国の基板能力が有効に整理されない。6インチ産業用価格が$350-450に下落 | 基板セクターは全体的に赤字に逆戻り；中小中国メーカーの大量倒産；デバイスIDMの粗利率が30%未満に圧縮 |
| 基準 | 0.50 | EV成長率約15-20%、800Vが予想通り立ち上がる；AIがTAMの約5%に寄与；8インチ歩留まりが計画通り向上。6インチ産業用は$450-600で推移 | 中国基板大手は数量拡大で価格を抑えつつ徐々に改善、劣勢企業の整理加速；利益はデバイスIDMにさらに集中；8インチは2027-2028年にコスト低減を実現 |
| 強気 | 0.25 | AIデータセンター需要が予想を上回る（2028年>$6億）＋800V加速で2027年にBEVの30%超を占める＋基板増産が大幅に遅れる。6インチ価格が$700突破、8インチ>$1,200 | サプライチェーン全体で利益改善；8インチの先発企業が超過利益を享受；中国基板の輸出制限なし、需要過熱 |
| 日付 | イベント | 方向性のある影響 | 対応する論点 |
|---|---|---|---|
| 2026-08 | ST/インフィニオン/オンセミ 2026年第2四半期決算 | SiC粗利率動向 | D2 |
| 2026-09 | PCIM Asia 2026（上海） | 8インチ進捗状況アップデート、業界価格設定 | D3 |
| 2026-10 | 米中間選挙 | 対中貿易政策の行方 | D1/D2 |
| 2026-11 | 中国の対米黒鉛輸出規制満了 | SiC熱処理コスト | D2 |
| 2026-12 | IEA Global EV Outlook年次更新 | EV生産予測の修正 | D1 |
| 2027-01 | Wolfspeed FY2027年第2四半期決算 | Mohawk Valley稼働率 | D3 |
| 2027-02 | Yole Power SiC 2027レポート | 成長率がさらに調整されるか | D1 |
| 2027-03 | STカターニア8インチ第1ライン試運転 | 世界最大の8インチSiCプロジェクトのマイルストーン | D3 |
| 2027-06 | 米国の対中301関税最終決定 | 税率公表（市場予想25-100%） | D1/D2 |
マトリクス解釈：
特別警告——デバイス側の価格下落リスク：JPモルガン試算の車載SiC MOS価格は2年間で半値（$6.5→$2.5）。このトレンドが加速すれば、IDM大手でも現在の粗利率維持は困難。これは投資家がST/インフィニオン/オンセミに対して最も見落としがちなリスクである。
受益銘柄：
| 銘柄 | ロジック |
|---|---|
| インフィニオン（IFNNY） | SiC+GaNフルスタック展開、CoolSiC技術で先行、AI電源受注急増（通期ガイダンス上方修正）、粗利率約41%で業界最高 |
| STMicroelectronics（STM） | SiCデバイス世界トップ（約35%）、カターニア8インチに€50億投資、車載認証バリアが最も厚く、総合粗利率34.8%に回復 |
| オンセミ（ON） | IDM型で基板自給率最高（>50%）、景気底打ち、SiC+AIの二重の変曲点 |
| 比亜迪半導体（未上場） | 中国唯一の車載SiCフルチェーンIDM、自社供給＋外部供給モデル、コスト競争力最強 |
回避銘柄：
| 銘柄 | ロジック |
|---|---|
| 純粋な基板中小メーカー | 価格競争は終息遠く、数量拡大による価格維持は持続不可能、業界整理進行中 |
| 天科合達（未上場） | 粗利率-20%、直近2年で累計約16億元の赤字、IPOで27.8億元調達も「生産増で赤字拡大」 |
| Wolfspeed（WOLF） | 破産再編を完了したものの赤字継続（粗利率-27%）、中国メーカーにシェアを奪われ続ける |
天岳先進（688234）——区別して考える必要あり：8インチ基板世界トップ（シェア51.3%）、海外粗利率35.97%、中国基板メーカーで唯一「数量拡大による価格維持」のジレンマを打破する可能性がある。ただし国内事業の粗利率は-6%、短期的には依然圧迫される。「8インチ権利行使オプション」としてコア保有ではなく位置づけるべき。
| シナリオ | 最も恩恵を受ける | 最も打撃を受ける |
|---|---|---|
| 弱気 | インフィニオン（全製品分散＋AI電源のディフェンシブ性） | 天岳先進（国内赤字拡大）、純粋な基板メーカー（全面赤字） |
| 基準 | インフィニオン、ST（デバイス大手、利益集中） | 天科合達（赤字継続で改善なし）、中小基板メーカー（整理） |
| 強気 | 天岳先進（8インチで最大の弾力性）、ST（カターニアフル生産） | Wolfspeed（上昇サイクルを逃す） |
本レポートは公開情報および業界インタビューに基づき、投資助言を構成するものではありません。業況判断≠個別銘柄推奨であり、投資家は自身のリスク選好度とポートフォリオ構成に基づき独自に判断してください。