研究报告 · 公开分享

碳化硅

行业研究 · 2026-07-28 · 建档 / 更新调研

碳化矽（SiC）產業深度研究報告

日期：2026-07-28
產業：碳化矽（Silicon Carbide）——基板·磊晶·功率元件
觀點：審慎看多 | 信心：中（0.60） | 時間維度：12-24 個月

核心結論：碳化矽產業從 2024-2025 年的「嚴重過剩+價格崩盤」中走出，2026 年上半年 6 英寸基板價格從底部反彈逾一倍，供需關係顯著收窄。EV 800V 平台滲透加速與 AI 資料中心電源需求崛起構成雙重增量驅動，但價格反彈的可持續性受制於 EV 成長放緩、產品分級分化及元件端自身價格下行。產業利潤池正經歷結構性遷移——從基板向元件 IDM 集中，但元件端 ASP 也在快速下降。整體景氣上行，但需審慎對待「全面反轉」敘事。

I1 產業定義與邊界

碳化矽（SiC）是第三代寬能隙半導體材料（能隙 3.26eV，崩潰電場為矽的 10 倍），其功率元件在高溫、高壓、高頻場景具備不可替代的優勢。

產業鏈一句話地圖：高純 SiC 粉料 → PVT 長晶（基板）→ 磊晶生長（磊晶片）→ 晶片設計/製造（SiC MOSFET/SBD）→ 封裝模組 → 終端應用（電動車/太陽光電儲能/AI 電源/工業/軌道交通）。

本報告涵蓋邊界：導電型（N 型）SiC 全產業鏈，以功率元件為核心終端市場。半絕緣型 SiC（用於射頻元件/GaN-on-SiC）非本報告重點。

細分環節價值分佈：

環節	佔元件總成本	壁壘核心	當前狀態
基板	~47%	PVT 長晶 know-how（>2200°C）、缺陷控制	價格從底部反彈，品質分化加劇
磊晶	~15%	厚度/摻雜均勻性、缺陷控制	跟隨基板趨勢，8 英寸為增量
元件設計與製造	~30%	車規認證（AEC-Q101）、客戶鎖定、良率	利潤高地，IDM 主導
封裝模組	~8%	散熱設計、可靠性	跟隨元件端

來源：Yole Group（Power SiC 2025/2026）；TrendForce

I2 需求

2.1 市場規模與增速

全球 SiC 功率元件市場 2024 年約 39 億美元，預計 2029 年達 100 億美元（含 SBD+MOSFET 裸晶/單管/模組），對應 CAGR ~20.7%（Yole Group，Power SiC 2026）。

年份	2024A	2025A	2026E	2027E	2029E
元件市場規模（億美元）	~39	~47	~55	~65	~100

來源：Yole Group / Electronics Weekly（2026年6月），https://www.electronicsweekly.com/news/business/power-sic-market-growing-at-20-cagr-2025-31-to-11bn-2026-06/

增速評估：Yole 在 2026 年 6 月 PCIM 展會上確認，SiC 短期增速從此前 40% 驟降至約 12%（2025-2026 年過渡期），但在 EV 800V 滲透加速和 AI 資料中心需求帶動下，中期增速回升至 ~20%。SiC 佔功率半導體 30% 的目標已從 2028 年推遲至 2030 年。

來源：PCIM Magazine 2026，https://pcim.mesago.com/nuernberg/en/pcim-insights/pcim-magazine/power-sic-growth-picks-up-pace-driven-by-auto-industrial-and-ai.html

2.2 終端需求拆分

終端場景	2024 佔比	2024 規模	2029E 規模	CAGR	成長邏輯
電動車（主驅+OBC+DC-DC）	~62%	~24億美元	~57億美元	~19%	EV 產量成長 × SiC 滲透率提升 × 800V 單車價值躍升
太陽光電+儲能逆變器	~14%	~5億美元	~15億美元	~25%	太陽光電裝機成長 + SiC 滲透率從 20% 升至 40%
充電椿基礎設施	~7%	~3億美元	~8億美元	~22%	350kW+ 超充椿廣泛採用 SiC 模組
工業電源/馬達驅動/軌道交通/電網	~14%	~5億美元	~10億美元	~15%	工業效率升級 + 軌道交通 SiC 牽引系統
AI 資料中心電源（PSU/UPS）	~3%	~1億美元	~7億美元	~48%	AI 伺服器功率密度從 3kW→10-30kW+，PSU 向 800V HVDC 演進

來源：Yole Group Power SiC 2026；IEA Global EV Outlook 2026，https://www.iea.org/reports/global-ev-outlook-2026/executive-summary；TrendForce

關於 AI 資料中心的現實檢驗：摩根大通 2026 年 5 月獨立測算顯示，AI 資料中心對 SiC 元件的 TAM 貢獻 2028 年約 4-5 億美元（約佔當時 TAM 的 10%），屬「結構性加分」而非「規模顛覆」。市場部分樂觀派聲稱 AI 將佔 SiC TAM 的 20-30%，明顯偏高。本報告對 AI 的預測已考慮這一保守評估——2029 年 ~7 億美元對應約 7% 佔比。

來源：摩根大通 SiC 行業深度報告（2026年5月），https://finance.sina.com.cn/stock/hkstock/marketalerts/2026-05-28/doc-inhzmayw8744907.shtml

2.3 需求轉折點量化鏈條

EV 主驅逆變器——核心驅動力（~62% 需求權重）：

SiC 车用器件市场 = 全球 BEV/PHEV 产量
  × (400V 占比 × 单车 SiC 价值_400V + 800V 占比 × 单车 SiC 价值_800V)
  × SiC 在对应电压平台的渗透率

2024 年基准：
  = 1,700万辆 × (85% × $175 + 15% × $400) × 25%
  = 1,700万 × $209 × 0.25 ≈ $8.9B（含 OBC 等，器件口径偏大）

2029 年基准情景：
  = 4,000万辆 × (50% × $200 + 50% × $400) × 45%
  = 4,000万 × $300 × 0.45 ≈ $54B（含 OBC，器件口径）

關鍵參數	2024A	2026E	2029E
全球 BEV/PHEV 產量（百萬輛）	~17	~22	~40
800V 在 BEV 中佔比	15%	~20%	~50%
SiC 在主驅逆變器滲透率	~25%	~35%	~55%
400V 單車 SiC 價值（美元）	~$175	~$185	~$200
800V 單車 SiC 價值（美元）	~$400	~$380	~$400

來源：IEA Global EV Outlook 2026；TrendForce（SiC inverter penetration）；Yole Group

AI 資料中心電源——增量驅動力（~3%→7% 需求權重）：

量化鏈（定性待量化——AI 端滲透率精確數值未揭露）：

SiC AI PSU 市场 = AI 服务器机架出货量 × 单机架功率密度 × SiC 在 PSU 中渗透率 × 单位功率 SiC 价值

关键假设：
- 单机架功率：3kW(2024)→10-30kW(2029)
- SiC 渗透率：<1%(2024)→~15%(2029，Yole 估计)
- 摩根大通测算：1MW HVDC 数据中心 SiC 含量约 $5,000-6,000
- 2028 年 AI DC 新增装机约 80GW × HVDC 渗透率 → $4-5 亿 TAM 贡献

來源：摩根大通 SiC 行業報告（2026年5月）；Yole Group Power SiC 2026

2.4 需求橋：2024→2029E（元件市場，億美元）

驅動項	變動（億美元）	依據
EV 主驅逆變器 SiC 用量成長	+33	產量 17M→40M × SiC 滲透率 25%→55% × 800V 佔比 15%→50%
EV OBC/DC-DC	+7	800V 滲透使單車 OBC SiC 含量提升
太陽光電+儲能逆變器	+10	新增裝機 CAGR ~10% × SiC 滲透率 20%→40%
充電椿	+5	350kW+ 超充椿 2.8 萬→10 萬+台
AI 資料中心電源	+6	從幾乎為零到 ~7 億美元/年（含摩根大通保守修正）
工業/軌道交通/其他	+5	工業效率升級 + 軌道交通 SiC 牽引
ASP 下降抵消	-3	元件 ASP 年均降 8-12%，部分被單車用量提升對沖
淨變動	+61	2024 年 ~$39 億 → 2029E ~$100 億

來源：基於 Yole Group、IEA、TrendForce、摩根大通綜合

結構性 vs 週期性：結構性成長佔比約 85%（EV 電氣化長期滲透 + 800V 不可逆切換 + 太陽光電儲能 + AI 基礎設施），週期性波動約 15%（EV 庫存調整、補貼政策波動）。2026 年 Q1 全球 EV 銷量年減 8%（IEA）是短期擾動，全年增速預計仍可維持 15-20%。

2.5 6 英寸等效晶圓需求預測

年份	2024A	2025A	2026E	2027E	2028E	2029E
需求（萬片/年）	210	260	350	440	530	610
年增率	—	+24%	+35%	+26%	+20%	+15%

來源：基於 TrendForce、Yole（元件市場→晶圓換算）；McKinsey 晶圓需求框架交叉驗證

I3 供給

3.1 全球產能全景

2025 年全球折合 6 英寸導電型 SiC 基板名目產能約 400 萬片/年，實際有效產能（出貨）約 280 萬片/年（產能利用率 ~70%）。2026 年名目產能預估增至 569 萬片，但受 Wolfspeed 破產減量、歐洲高成本產能退出（onsemi 捷克裁員 200-300 人）、中國低效率產能出清三重影響，有效供給增幅有限。

來源：TrendForce；Fuji Keizai；榮格工業，https://www.industrysourcing.cn/article/470999

指標	2024A	2025A	2026E
全球名目產能（萬片/年，6 英寸等效）	~300	~400	~569
全球有效產能（萬片/年）	~230	~280	~360
全球綜合產能利用率	~77%	~70%	~63%（受 Wolfspeed 拖累）
中國頭部產能利用率	~70%	~85%	>90%（天岳/天科滿載）
中國出貨全球佔比	38%	53%	~55%（E）

3.2 供給端重大事件

Wolfspeed 破產重組（2025 年 6 月申請 Chapter 11，2025 年 9 月完成重組）：債務削減約 70%（~46 億美元），關閉 Durham 150mm 元件廠，無限期暫停德國 Saarland 項目。重組後 FY2026 Q3 材料收入僅 $50M（年減 36%），產能利用率 20-25%。全球有效供給減少約 30 萬片/年。
onsemi 歐洲收縮（2026 年 6 月）：裁減捷克廠 200-300 名 SiC 員工，歐洲 SiC 製造成本 $1,200/片 vs 中國 $400/片，轉向外購中國基板。
BIS 出口管制升級：2026 年 4 月將 SiC/GaN 離子植入機、高溫退火系統列入管制；2026 年 7 月追加 SiC/GaN 測試系統。但 PVT 長晶爐國產化率已超 90%，對基板環節直接影響有限。

來源：Wolfspeed Q3 FY2026 財報；美國商務部工業安全局（BIS）聯邦公報 2026年4-7月；芯智訊，https://www.chinaaet.com/article/3000178055

3.3 基板端競爭格局

2025 年全球導電型 SiC 基板出貨量 CR5 ~67%，中國兩家頭部合計 ~35%，已超 Wolfspeed+Coherent 的 ~24%。

排名	企業	2025 年出貨量市占率	2024 年營收市占率	趨勢
1	天岳先進	27.6%	17.1%	出貨量登頂全球第一
2	Wolfspeed	18%	33.7%	市占率腰斬，破產重組
3	ROHM/SiCrystal	11%	~8%	日本供應鏈穩步提升
4	SK Siltron	7.5%	—	韓國勢力崛起
5	天科合達	7.2%	17.3%	營收市占率下滑顯著

來源：Fuji Keizai（2025 出貨量）；TrendForce（2024 營收），https://www.trendforce.cn/presscenter/news/20250512-12573.html

3.4 技術世代遷移：6 英寸→8 英寸

8 英寸（200mm）晶圓面積是 6 英寸的 1.78 倍，考慮邊緣利用率提升後可用晶片數增加約 1.87 倍。理論單晶片成本可降 35-50%，但量產良率與設備成本是嚴重制約。

指標	6 英寸（150mm）	8 英寸（200mm）
量產成熟度	成熟（頭部良率 >60%）	起步期（全球平均 <40%）
基板單價（2026Q2）	~$500-700/片（工業級~3,500-5,000 元）	~$900-1,100/片
單片可用晶片數（5mm×5mm）	~448 顆	~837 顆
單晶片基板成本（理論）	~$1.34	~$1.08-1.31

來源：天岳先進投資者交流；Wolfspeed SEC filing

Yole 在 2026 年 6 月 PCIM 展會上明確指出「8 英寸過渡已延遲，將比預期更慢」。Wolfspeed Mohawk Valley 8 英寸工廠自 2022 年投產後從未滿載（利用率持續 <25%），設備未充分利用費用持續飆升，是導致其破產的重要推手——8 英寸降本邏輯在量產中尚未得到驗證。

8 英寸量產關鍵進展：

天岳先進：8 英寸出貨量全球市占率 51.3%（Fuji Keizai），已向英飛凌、博世批量供貨；首創液相法
Infineon：2025 年 Q1 Villach 首批 8 英寸產品出貨；Kulim Module 3（€70 億投資）爬坡中
STMicroelectronics：Catania SiC Campus（€50 億）2026 年投產，2033 年滿載 15,000 片/週
三安光電 + ST 合資：重慶 8 英寸項目多產品驗證完成，進入風險量產
芯聯集成：8 英寸 SiC MOSFET 量產（2,000 片/月），規劃擴至 20,000 片/月
Wolfspeed：Mohawk Valley 重組後復產，利用率 25%，推出 10kV SiC MOSFET

來源：Infineon Press，https://www.infineon.com/press-release/2025/infxx202502-055；ST News；PCIM Magazine 2026

3.5 成本曲線與激勵價格

分位	代表企業	C1 現金成本（$/片，6 英寸等效）	特點
第一四分位	天岳先進、天科合達	$280-350	中國頭部，良率 >55%，低電價優勢
第二四分位	晶盛機電、三安光電	$350-450	規模尚在爬坡
第三四分位	Wolfspeed（重組後）、ROHM	$500-700	海外成本高但 Wolfspeed 重組後有望下降
第四四分位	Coherent、安森美捷克、歐洲中小廠	$700-1,200	面臨退出壓力

激勵價格：6 英寸 ~$650/片（新進入者損益兩平）；8 英寸 ~$850/片。

來源：安森美管理層揭露；榮格工業；思萊克工業科技，https://www.slaker.cn/silicon-carbide-news/345.html

當前市價（2026 年 7 月）：

6 英寸工業級（D 級）導電型基板：約 3,500-5,000 元/片（~$490-700）
6 英寸車規級（P-MOS 級）：約 12,000-12,500 元/片（~$1,680-1,750）
8 英寸導電型：約 $900-1,100/片

來源：上海有色網（SMM），https://hq.smm.cn/semiconductor/content/103993830；注意產品分級——工業級與車規級價差達 2.5-3 倍，不可混用

關鍵警示：市場部分報導中存在產品分級混淆——將工業級低點 $200-320（2025 年末）與車規級或混合均價高點 $700（2026 年中）直接比較，誇大了反彈幅度。按同口徑工業級價格從 ~$250 反彈至 ~$490-600，漲幅仍顯著（~100-140%）但絕對價位低於部分報導的 $700。

3.6 供給約束

PVT 長晶物理瓶頸：生長速度 0.2-0.3mm/h，單爐 7-10 天，8 英寸比 6 英寸延長 30%+，天然限制擴產彈性
良率與車規雙重損耗：6 英寸綜合良率 40-60%，過車規僅 60-70%；8 英寸良率不足 40%，車規級有效供給比例低至 20-30%
資本開支紀律：Wolfspeed 破產警示過度擴產風險，海外 IDM 普遍縮減/延遲 8 英寸資本開支
中國低效產能出清：2025 年價格戰導致大量 6 英寸中小廠商停產停工，有效產能縮水約 30%，但頭部集中度提升

I4 供需平衡與價格週期

4.1 逐年供需平衡表（6 英寸等效導電型襯底，萬片/年）

年份	需求（萬片）	有效供給（萬片）	過剩/缺口（萬片）	供需比
2024A	210	230	+20	1.10
2025A	260	280	+20	1.08
2026E	350	360	+10	1.03
2027E	440	470	+30	1.07
2028E	530	570	+40	1.08
2029E	610	650	+40	1.07

口徑說明：本表為 6 英寸等效導電型襯底總量平衡。供需比從 2024 年的 1.10 收窄至 2026 年的 1.03，反映過剩顯著緩解。但總量數字掩蓋內部結構性分化——車規級高品質襯底實際偏緊（交付期超 50 週），而工業級低端襯底仍相對寬鬆。

來源：需求基於 Yole Group 器件市場 + 晶圓換算；供給基於 TrendForce + Fuji Keizai + 各公司公告。所有行 crudely 驗證：供給 − 需求 = 缺口。

4.2 開工率與庫存週期

指標	現狀（2026Q2）	趨勢
全球綜合開工率	~63%（Wolfspeed 20-25% 嚴重拖累）	分化加劇
中國頭部開工率	>90%（天岳/天科滿產）	車規/高品質線滿產
全產業鏈庫存	~1-2 個月（正常 3 個月）	偏低，高端接近零庫存
庫存週期位置	去庫存尾聲→結構性補庫	車規級補庫，工業級仍在消化

來源：長江有色網實地走訪；東方財富行業調研，https://caifuhao.eastmoney.com/news/20260607131747784511370。需注意摩根士丹利半導體庫存追蹤（2026 年 7 月）顯示整體半導體供應鏈庫存仍高於歷史中位數 33 天，SiC 的「低庫存」屬結構性（車規緊、工業鬆）而非全面緊缺。

4.3 價格走勢與歷史分位

價格週期回顧：

2024 年初：6 英寸工業級 ~$620/片（4,500 元），長協為主
2024 年末：產能釋放加速，跌至 ~$500/片
2025 年末：中國產能嚴重過剩 + Wolfspeed 拋貨，谷底 ~$250-320/片（2,300 元），部分廠商跌破現金成本
2026 年 Q1-Q2：Wolfspeed 破產減量 + 低效產能退出 + AI 需求拉動，反彈至 ~$500-600/片（3,500-4,400 元）
2026 年 Q2 末：車規級緊缺品種漲至 ~$700+/片（5,000 元+），工業級約 $490-600

來源：思萊克工業科技；上海有色網 SMM；各公司公告

價格形成機制：襯底定價正從「年度長協鎖價」向「現貨+競標」演變，車規料維持長協為主（佔比約 30-40%，海外 IDM 更高）。車規級與工業級價差達 2.5-3 倍，且這一鴻溝在擴大——結構性緊缺集中在車規高端產品。

4.4 基準價格路徑（未來 12 個月）

時期	6 英寸工業級	8 英寸	核心邏輯
2026Q3	$500-700/片	$950-1,100/片	補庫高峰 + AI 電源拉貨 + 車規級結構性緊缺
2026Q4	$470-630/片	$900-1,050/片	季節性淡季，但庫存低位限制跌幅
2027Q1	$420-580/片	$880-1,020/片	春節停工 + 海外採購放緩，回調 5-15%
2027Q2	$440-600/片	$900-1,050/片	EV 新車型備貨 + AI PSU 採購旺季啟動

定價框架：激勵價地板（6 英寸 ~$650/片=中國新進入者盈虧平衡）+ 供需方向（2026H2 緊→2027H1 略鬆）+ 庫存位置（偏低，近端支撐）。注意：$700+ 的價格主要集中在車規高端產品，工業級基準在 $500-600 區間；若沿用工業級口徑，價格已回落至 $500 附近，更接近激勵價。

I5 競爭格局與利潤池

（本節為科技硬體 playbook 的頭條章節——重心在定價權/利潤歸誰/壁壘/國產替代）

5.1 產業鏈集中度

環節	CR4/CR3	龍頭企業	趨勢
襯底（出貨量）	CR5 ~67%	天岳先進 27.6% + Wolfspeed 18%	中企反超，Wolfspeed 腰斬
器件（營收）	CR3 ~60%	ST ~35% + onsemi ~20% + 英飛凌 ~15%	三強穩固，中國器件廠 ~10% 快速追趕
外延（銷量）	CR3 ~55%	瀚天天成 >30%（全球第一）	一家獨大，但代工業務萎縮

來源：Fuji Keizai（2025）；TrendForce；Yole

5.2 利潤池結構與遷移

當前利潤在各環節的分佈（2025 年估算）：

環節	利潤池佔比	毛利率區間	3 年前毛利率	趨勢
襯底	~15%	-25%~19%	40-60%	崩塌——天科合達 -20%，天岳先進 17%
外延	~12%	18-35%	35-45%	收縮——瀚天天成從 44.7% 跌至 25.6%
器件/IDM	~60%	34-46%	35-45%	穩中略降——ST 34.8%，英飛凌 ~41%
模塊/封裝	~13%	14-18%	15-20%	穩定

來源：各公司財報。ST Q2 2026，https://newsroom.st.com/wp-content/uploads/2026/07/C3403C-Q226-Earnings-PR.pdf；英飛凌 Q2 FY2026，https://www.infineon.cn/press-release/2026/infxx202605-082；onsemi Q1 2026，https://www.onsemi.com/company/newsroom/news-and-insights/onsemi-reports-first-quarter-2026-results

利潤池遷移方向：從「襯底為王」→「器件為王」。三年內襯底毛利率從 40-60% 崩塌至盈虧平衡甚至虧損，利潤加速向擁有車規認證+客戶鎖定+規模製造的器件 IDM 集中。

但需警惕剪刀差風險：摩根大通測算顯示，汽車 SiC MOSFET 價格 2024 年 $6.0-6.5→2025 年 $5.0-5.5→2026 年 $3.0-3.5→2027 年可能到 $2.5（兩年腰斬）。如果襯底價格已企穩反彈而器件價格繼續暴跌，利潤池可能反向從器件回流襯底——目前尚未發生，但 2027 年是關鍵觀察窗口。

上下游議價權：

力量	強弱	依據
襯底對器件廠	弱	導電型襯底標準化程度高，多源供應，IDM 持續壓價
器件對整車廠	中偏弱	設計導入後切換成本極高，但前 5 大客戶集中度 60-80%
車規外延對器件廠	中	客製化強、認證壁壘高，切換週期 12-18 個月
器件對 AI 數據中心客戶	中偏強	800V HVDC 為新興市場，供應商有限，定價權暫時較強

5.3 回報質量評估

這門生意整體錢好不好賺？——中（改善中，週期底部）

賺真錢的環節：海外 IDM 器件（ST/英飛凌/onsemi 的 SiC 業務 ROIC >15%），以及 8 英寸車規外延（毛利率 ~35%）
增收不增利的景氣幻覺：純襯底環節——天岳先進 2025 年銷量 +75% 但營收 -17%、虧損 2.08 億元；天科合達毛利率 -20%，「越賣越虧」
核心問題：中國襯底以量換價模式不可持續，利潤被價格戰吞噬；器件端 ASP 也在下降

價值陷阱風險：中。純襯底廠商（天岳先進/天科合達）存在典型價值陷阱——出貨量增長但利潤不增甚至虧損。三安光電 SiC 尚在投入期（2025 年湖南三安 SiC 營收僅 9.1 億元），LED 主業拖累整體盈利。

5.4 主要玩家畫像

企業	代碼	產業鏈位置	份額	核心優勢	一句話解讀
STMicroelectronics	STM	器件 IDM	SiC 器件 ~35%（全球第一）	車規認證最早最全，深度綁定特斯拉，Catania 8 英寸 €50 億項目	器件端絕對王者，利潤池遷移首要受益者，綜合毛利率回升至 34.8%
英飛凌	IFNNY	器件 IDM	SiC 器件 ~20-25%	CoolSiC 溝槽柵技術領先，AI 電源訂單爆發，上調全年指引	SiC+GaN 全棧佈局，毛利率 ~41% 行業最高，AI 電源結構最受益
onsemi	ON	IDM+襯底自供	SiC 器件 ~15-20%	自建襯底產能（自供 >50%），EliteSiC 獲吉利/蔚來定點	走出週期底部，但毛利率從 45%+ 降至 38.5%，等待利用率修復
天岳先進	688234	襯底	出貨 27.6%（全球第一）	8 英寸市占 51.3%，12 英寸首創液相法，已批量供貨英飛凌/博世	出貨量全球第一但以量換價致虧損，境外高毛利（36%）是盈利關鍵
比亞迪半導體	未上市	中國全鏈 IDM	中國 SiC 模塊 ~15-20%	國內唯一車規全鏈 IDM，自供+外供，成本比進口低 30-50%	受益於 SiC 上車潮最確定的中國標的
芯聯集成	688469	器件代工	中國 SiC 代工 ~10-15%	國內最大獨立 SiC 代工廠，8 英寸 MOSFET 量產	代工龍頭營收高增但毛利率僅 5.5%，2026 年盈利拐點待驗證
天科合達	未上市	襯底+外延	襯底出貨 ~7%（全球前三）	國內最早產業化，寧德時代/華為哈勃參投	毛利率轉負（-20%），近兩年累虧 ~16 億，IPO 募資 27.8 億「越產越虧」
三安光電	600703	全鏈 IDM 平台	SiC 國內 ~5-10%	全產業鏈垂直整合，與 ST 合資 8 英寸	SiC 尚在投入期，LED 主業拖累整體虧損
瀚天天成	02726.HK	外延	全球外延 >30%	全球最大獨立外延廠，首發 12 英寸外延，港股新上市	外延絕對龍頭但毛利率持續下滑（44.7%→25.6%），靠補貼盈利
Wolfspeed	WOLF	全鏈 IDM（重組後）	襯底 18%（從 34% 腰斬）	SiC 技術先驅，8 英寸 fab 先發	昔日龍頭深陷困境，重組後仍虧損（毛利率 -27%），短期難言反轉

5.5 行業估值位置

申萬分立器件 L3 指數（850812.SI）：當前 PE ~163.64，處於歷史 98% 分位；PB ~6.13，處於歷史 91% 分位
板塊 PE 處於極高分位，反映市場對 SiC/AI 電源等主題的高成長預期已充分定價
警示：板塊內多數公司仍處虧損或微利狀態，PE 高位可能因分母盈利極低所致——高 PE 不一定指向泡沫，但意味著容錯空間極小

I6 政策·地緣·ESG

6.1 全球政策格局——全面順風但碎片化

區域	政策方向	核心措施	影響
中國	強順風	大基金三期 3,440 億元 + 十五五專項 50 億元/年 + 地方補貼	加速襯底/器件國產替代
美國	順風但碎片化	CHIPS Act Wolfspeed $7.5 億補貼（待定）+ $7 億稅收返還（已到帳）；BIS 對華 SiC 設備管制	利好美國本土產能，全面封鎖中國
歐盟	強順風	ST Catania €20 億援助（總投資 €50 億）	歐洲 8 英寸全鏈自主
日本	強順風	NEDO 305 億日元 + METI 1,294 億日元（合計 ~$11 億）	ROHM 8 英寸提前 2 年達標
韓國	順風	5,000 億韓元國費（~$3.4 億），目標自給率 10%→20%	加速本土化

6.2 貿易壁壘——中國 SiC 對美出口幾乎被阻斷

措施	範圍	稅率/限制	生效日期
301 現有關稅	SiC 摻雜晶圓（HTS 3818.00.00.30）	50% 附加關稅	2025 年 1 月
301 新調查	中國產半導體（含 SiC 襯底/器件）	當前 0%，2027 年 6 月升至待定稅率	2027 年 6 月（稅率最遲 2027 年 5 月公佈）
BIS 設備管制	SiC/GaN 離子注入機、退火系統、外延設備	對華出口需許可證（推定為拒絕）	2026 年 4-7 月
BIS 器件管制	1200V+ SiC MOSFET	對華出口需許可證	2026 年 7 月

來源：USTR Federal Register，https://ustr.gov/sites/default/files/files/Issue_Areas/Enforcement/Section%20301/Semiconductor%20Section%20301%20FRN%20Final%20Action%2012-22-25%20for%20posting.pdf

6.3 全球供應鏈悖論

中國襯底出貨占全球 53%，海外 IDM 高度依賴（中國襯底價格僅為海外 30-50%），但美歐日正通過補貼+關稅加速「去中國化」。短期內中國襯底的低價優勢難以替代，但若 2027 年 6 月 301 新關稅大幅上調（市場預期 25-100%），將嚴重衝擊中國襯底對美出口。

6.4 ESG 維度

生產端：SiC 襯底碳排放約 123 kg CO₂e/kg（矽襯底的 ~15 倍），PVT 長晶 >2,500°C 高能耗是主要原因
應用端：SiC 器件在 EV 逆變器中使用可降低功率損耗 50%+，全生命週期減碳約為生產碳足跡的 3-5 倍
中國西北綠電優勢：新疆/內蒙古綠電成本 $0.02-0.03/kWh，頭部企業已在新疆佈局綠電+SiC 產能，碳強度可降 40-60%

來源：ecoinvent 資料庫；歐盟委員會 CBAM（SiC 未納入首批覆蓋行業）

I7 核心爭議與情景

爭議一：SiC 需求增速——高 CAGR 能否兌現？（D1）

多方	空方	追蹤指標
Yole 維持 2024-2030 CAGR ~20%，EV 800V+AI 雙驅動不可逆	EV 2026Q1 全球銷量 -8%；摩根大通測算 AI 僅貢獻 4-5 億美元（~10% TAM，2028 年）	全球 BEV 季度銷量（IEA）、TrendForce SiC 逆變器滲透率、Yole 年度增速更新

當前天平：多方略占優——AI 雖僅為「結構性加分」而非「規模顛覆」，但 EV 800V 平台滲透正在加速（2025 年 800V 佔比 ~15%→2026E ~20%）；2026Q1 EV 銷量 -8% 為補貼退坡擾動，全年增速仍可維持 15-20%。

爭議二：價格反彈可持續性——$500-600 能否守住？（D2）

多方	空方	追蹤指標
庫存約1-2個月（正常3個月），車規級接近零庫存，交貨期超過50週	摩根大通稱2026年初6吋僅約$208；DigiTimes報導$200-300；當前價格含囤貨/投機水分	6吋工業級襯底現貨價、天岳先進/天科合達季度ASP、通路庫存天數

當前天平：多方微弱占優——價格確實從底部大幅反彈，但產品分級嚴重（車規緊/工業鬆），工業級$500-600已接近激勵價$650，續漲空間有限。若補庫需求消退，工業級價格存在回調至$400-500的風險。

爭議三：8吋降本——引擎還是承諾？（D3）

多方	空方	追蹤指標
8吋面積1.78倍，晶片數+87%，理論單晶片成本降35-50%	Wolfspeed Mohawk Valley從未滿產直接導致破產；全球8吋良率<40%；Yole明確過渡延遲	8吋襯底公開報價、天岳先進/Wolfspeed 8吋出貨量及良率揭露

當前天平：空方占優——8吋降本邏輯在量產中尚未得到驗證，過渡週期比預期更長。但天岳先進8吋市占51.3%+良率60-70%提供了謹慎樂觀的理由。

三情境分析

情境	機率	敘事	產業含義
熊	0.25	全球EV增速持續低迷（2026年<10%）+ AI資料中心需求低於摩根大通基準 + 中國襯底產能未有效出清。6吋工業級價格回落至$350-450	襯底環節重回全面虧損；二三線中國廠商批量倒閉；元件IDM毛利率壓縮至30%以下
基準	0.50	EV增速約15-20%，800V按預期爬坡；AI貢獻約5% TAM；8吋良率按節奏提升。6吋工業級$450-600區間運行	中國襯底龍頭以量換價逐步改善、尾部出清加速；利潤繼續向元件IDM集中；8吋2027-2028年兌現降本
牛	0.25	AI資料中心需求超預期（2028年>$6億）+ 800V加速至2027年占BEV 30%+ + 襯底擴產嚴重滯後。6吋價格突破$700，8吋>$1,200	全產業鏈獲利修復；8吋先發者享有超額利潤；中國襯底出口不受限且被瘋搶

催化劑日曆

日期	事件	方向性影響	對應爭議
2026-08	ST/英飛凌/onsemi Q2 2026財報	SiC毛利率趨勢	D2
2026-09	PCIM Asia 2026（上海）	8吋進展更新、產業定價	D3
2026-10	美國期中選舉	對中貿易政策走向	D1/D2
2026-11	中國對美石墨出口管制到期	SiC熱場成本	D2
2026-12	IEA Global EV Outlook年度更新	EV產量預測修正	D1
2027-01	Wolfspeed FY2027Q2財報	Mohawk Valley利用率	D3
2027-02	Yole Power SiC 2027報告	增速是否進一步調整	D1
2027-03	ST Catania 8吋首條產線試產	全球最大8吋SiC專案里程碑	D3
2027-06	美國對中301關稅終裁	稅率公布（市場預期25-100%）	D1/D2

I8 投資含義與受惠標的

景氣方向 × 生意品質決策矩陣

矩陣解讀：

右上（核心配置）——英飛凌（CoolSiC+AI電源爆發，毛利率~41%產業最高）、STMicroelectronics（SiC元件份額第一 + Catania 8吋布局）、onsemi（IDM效率最優，襯底自供>50%）
右下（價值陷阱——景氣上行但報酬差）——不存在典型標的。天岳先進在景氣上行中位於中線附近（8吋領先但短期虧損）
左下（迴避）——純襯底二三線廠商（價格戰遠未見底，越賣越虧）、天科合達（毛利率-20%，IPO「越產越虧」）

特別警示——元件端價格下行風險：摩根大通測算的車用SiC MOS價格兩年腰斬（$6.5→$2.5），若此趨勢加速，即使IDM龍頭也難以維持當前毛利率。這是投資者對ST/英飛凌/onsemi最為盲視的風險。

受惠/迴避標的

受惠標的：

標的	邏輯
英飛凌（IFNNY）	SiC+GaN全棧布局，CoolSiC技術領先，AI電源訂單爆發（上調全年指引），毛利率~41%產業最高
STMicroelectronics（STM）	SiC元件全球第一（~35%），Catania 8吋€50億布局，車規認證壁壘最深，綜合毛利率回升至34.8%
onsemi（ON）	IDM模式襯底自供率最高（>50%），走出週期底部，SiC+AI雙轉折點
比亞迪半導體（未上市）	中國唯一車規SiC全鏈IDM，自供+外供模式，成本競爭力最強

迴避標的：

標的	邏輯
純襯底二三線廠商	價格戰遠未見底，以量換價不可持續，產業出清進行中
天科合達（未上市）	毛利率-20%，近兩年累虧約16億元，IPO募資27.8億「越產越虧」
Wolfspeed（WOLF）	雖完成破產重組仍持續虧損（毛利率-27%），份額被中國廠商持續蠶食

天岳先進（688234）——需區分看待：8吋襯底全球第一（市占51.3%）、境外毛利率35.97%，是唯一有希望打破「以量換價」困境的中國襯底標的。但境內業務毛利率-6%，短期仍承壓。適合作為「8吋兌現選擇權」而非核心持倉。

情境 × 標的影響

情境	最受惠	最受傷
熊	英飛凌（全品類分散+AI電源防禦性）	天岳先進（境內虧損擴大）、純襯底廠商（全面虧損）
基準	英飛凌、ST（元件龍頭，利潤集中）	天科合達（持續虧損無改善）、二三線襯底廠（出清）
牛	天岳先進（8吋彈性最大）、ST（Catania滿產）	Wolfspeed（錯失上行週期）

主要風險

EV增速結構性放緩：2026Q1全球EV -8%，若全年增速低於10%，SiC需求面臨重大下修
元件ASP腰斬侵蝕IDM利潤：摩根大通預測車用SiC MOS兩年跌60%，即使IDM龍頭也難以免疫
價格數據混淆導致誤判：工業級 vs 車規級價差3倍，用混合均價判斷產業景氣存在嚴重偏差
2027年6月301關稅終裁：若稅率>50%，中國襯底對美出口基本歸零
8吋良率久未突破：若2027年末全球平均良率仍<50%，8吋降本邏輯繼續推遲

本報告基於公開資訊與產業訪談，不構成投資建議。產業景氣判斷 ≠ 個股推薦，投資者需結合自身風險偏好與持倉結構獨立決策。

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本报告由 Loyan AI 自动生成，仅供研究参考，不构成投资建议。

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